STP10N60M2STMicroelectronics

Hersteller-Teilenummer: STP10N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
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Produktspezifikation
TypBeschreibung
ProduktstatusActive
fet-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss)600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C7.5A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an)10V
rds auf (max) @ id, vgs600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs13.5 nC @ 10 V
vgs (max)±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds400 pF @ 100 V
fet-Funktion-
Verlustleistung (max.)85W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Gerätepaket des LieferantenTO-220
Paket / KofferTO-220-3
Bewertungen

176 Bewertungen

4,9 Gesamtnote

168 von 176 (98%)
Kunden haben dieses Produkt empfohlen

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Rafael Marquez
Barba Ivan
2024-06-20
96% der Benutzer fanden diese Bewertung hilfreich

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Rafael Marquez
Mark Engleman
2024-06-06
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